CY7C1418KV18-250BZC

Изображението е за справка, моля свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част производител

CY7C1418KV18-250BZC

Производител
Rochester Electronics
Описание
DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P
Категория
интегрални схеми
Семейство
памет
Серия
-
В наличност
601
Листове с данни онлайн
CY7C1418KV18-250BZC PDF
Разследване
  • серия:-
  • пакет:Bulk
  • състояние на частта:Active
  • тип памет:Volatile
  • формат на паметта:SRAM
  • технология:SRAM - Synchronous, DDR II
  • размер на паметта:36Mb (2M x 18)
  • интерфейс на паметта:Parallel
  • тактова честота:250 MHz
  • време за цикъл на писане - дума, страница:-
  • време за достъп:-
  • напрежение - захранване:1.7V ~ 1.9V
  • Работна температура:0°C ~ 70°C (TA)
  • вид монтаж:Surface Mount
  • пакет / калъф:165-LBGA
  • пакет устройства на доставчика:165-FBGA (13x15)
Доставка Период на доставка За части в наличност се очаква поръчките да бъдат изпратени за 3 дни.
Изпращаме поръчки веднъж дневно около 17 ч. с изключение на неделя.
След като бъде изпратено, очакваното време за доставка зависи от избраните по-долу куриери.
DHL Express, 3-7 работни дни
DHL eCommerce, 12-22 работни дни
FedEx International Priority, 3-7 работни дни
EMS, 10-15 работни дни
Регистрирана въздушна поща, 15-30 работни дни
Цени за доставка Цените за доставка за вашата поръчка можете да намерите в пазарската количка.
Опция за доставка Ние предлагаме DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express и регистрирана въздушна поща за международна доставка.
Проследяване на доставката Ще ви уведомим по имейл с номер за проследяване, след като поръчката бъде изпратена.
Можете също да намерите номера за проследяване в историята на поръчките.
Връщане/Гаранция Връщане Връщанията обикновено се приемат, когато бъдат завършени в рамките на 30 дни от датата на изпращане, моля, свържете се с отдела за обслужване на клиенти за разрешение за връщане.
Частите трябва да са неизползвани и в оригинална опаковка.
Клиентът трябва да поеме отговорността за доставката.
Гаранция Всички покупки идват с 30-дневна политика за връщане на парите, плюс 90-дневна гаранция срещу всякакви производствени дефекти.
Тази гаранция не се прилага за артикули, при които дефектите са причинени от неправилно сглобяване на клиента, неспазване на инструкциите от страна на клиента, модификация на продукта, небрежна или неправилна работа

Препоръка за Вас

Изображение Номер на частта Описание Наличност Единична цена Купува
IS42VM32200M-6BLI

IS42VM32200M-6BLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

В наличност: 0

$3.41079

IS42VM16320E-6BLI-TR

IS42VM16320E-6BLI-TR

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA

В наличност: 0

$8.46000

MT61K256M32JE-14:A

MT61K256M32JE-14:A

Micron Technology

IC RAM 8GBIT PARALLEL 180FBGA

В наличност: 0

$12.39000

HT6256DC

HT6256DC

Honeywell Aerospace

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP

В наличност: 0

$960.00000

CY27C512-200PC

CY27C512-200PC

Rochester Electronics

OTP ROM, 64KX8, 200NS PDIP28

В наличност: 807

$2.01000

CY7C266-25PC

CY7C266-25PC

Rochester Electronics

OTP ROM, 8KX8, 25NS PDIP28

В наличност: 0

$18.67000

24C02CT-I/SN

24C02CT-I/SN

Roving Networks / Microchip Technology

IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC

В наличност: 5 726

$0.27000

W25Q16JWSSIQ TR

W25Q16JWSSIQ TR

Winbond Electronics Corporation

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC

В наличност: 0

$0.48201

THGAMRG9T23BAIL

THGAMRG9T23BAIL

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

IC FLASH 512GBIT EMMC 153FBGA

В наличност: 0

$26.87000

W971GG8SB25I TR

W971GG8SB25I TR

Winbond Electronics Corporation

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA

В наличност: 0

$3.79738

Категория продукти

Top